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技術創新，國產FHP200N6F3A低壓MOSFET的產品優勢分析

文章類別：MOS管資訊發布時間：2024-05-06 瀏覽量：736 分享至：

低壓MOSFET是功率逆變器的主要要素，是能直接影響其工作性能。該以何種方式選型低壓MOSFET可以獲得適合功率逆變器電路圖的產品呢？

對于低壓MOSFET市場而言，普遍存有產品縮短壽命、散熱不良、可靠性弱等未知問題是不容忽視的，確保功率逆變器設備的常規運行，緊急需要尋覓質量好的替代低壓MOSFET產品。

功率逆變器電子技術員在替代IPP04N06N3型號低壓MOSFET時，需要注意到多個關注重點。首先是低壓MOSFET的性能參數，比方電流能否達到了200A、電壓能否達到了60伏等，枚舉參數關聯緊密了器件的工作效率。

在相關案例講解，FHP200N6F3A現階段在國內大量功率逆變器生產公司中成功替代IPP04N06N3又可以取得大規模被使用。愿意舉薦每個人明白其詳細參數：

1、正向最大連續電流：200A
2、靜態導通電阻RDS(ON)：2.85mΩ（Typ）、3.5mΩ（Max）
3、N溝道增強型場效應晶體管
4、最高柵源電壓：±20V
5、100%Rg測試
6、VGS（th）：2.0-4.0V

谷女士結合揀選飛虹半導體，是因FHP200N6F3A型號專用在功率逆變器。

飛虹半導體愿意舉薦使用FHP200N6F3A型號的低壓MOSFET，以提升增多功率逆變器電路的轉換電流能力。這種額定參數為200A、60伏的低壓MOSFET，滿足本質化解產品產品縮短壽命、散熱不良、可靠性弱等未知問題。

打破功率逆變器電路開發的瓶頸，飛虹半導體低壓MOSFET廠家的FHP200N6F3A型號成為功率逆變器生產公司的具有理性的取舍。全面戰略一站式標準的元器件供應保障，就在一通電話之遙：400-831-6077。