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產品參數
Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(Ω) | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
型號 | 極性 | 封裝形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHN60N1F10LA | N | PDFN5×6 | 20 | 1.2~2.4 | 60 | 100 | 10 | 12 | 12.5 | 15.5 |
產品詳情
【飛虹60N1F10LA產品描述】
飛虹60N1F10LA,SGT MOSFET DFN5×6-8L,采用SGT工藝來獲得極低的RDSON導通內阻和優秀的品質因子FOM(RDSON*Qg),可實現快速硬開關和有效提高了轉換效率,PDFN5×6-8L封裝產品廣泛應用于AC/DC和 USB PD快充適配器電源和DC/DC轉換器的二次側同步整流,BLDC電機驅動。其它mos管品牌替代型號:AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N。
【飛虹60N1F10LA產品特點】
飛虹60N1F10LA,100% EAS測試,100% Rg測試,100% DVDS熱阻測試,一致性高,高可靠性,開關速度快,極低的導通內阻RDS(on),優秀的品質因子FOM(RDS(on)*Qg),損耗低。
【飛虹60N1F10LA應用舉例】
USB PD charger(以市場的主流QR電源結構舉例)
熱門標簽: 國產FHP230N06VFHP230N06V國產MOS管代換IPP030N10N3G代換IXFK94N50P2
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針對降壓升壓變換器電子技術員的需求,非常建議一款n溝道MOS管產品:FHN60N1F10LA。它在技術參數上完全相通VSP014N10MS,具體每位可關心參數:
低壓SGTMOSFET是非隔離型直流變換器的中心,有哪些生產低壓SGTMOSFET廠家能有能代替VSP014N10MS型號SGTMOSFET用在非隔離型直流變換器電路圖中?
當降壓升壓變換器電子技術員進行ZMS100N10N型號低壓場效應晶體管的替代時,要求嚴格把關多個關鍵條件。首先,低壓場效應晶體管的性能參數燃眉之急,好像電流可不可以實現60a、電壓可不可以實現100伏等,提及參數決定影響著器件的工作效率。同理,擊穿電壓(BVCES)和高可靠性也重要組成部分,全面的擊穿電壓(BVCES)性能符合于增加降壓升壓變換器的質量。
在DC/DC電源轉換器電子工程中,VSP014N10MS型號場效應晶體管的選用需要設計師重點關切其性能指標。如同,電流是否滿足60A、額定電壓是否得到了100伏等,提及指標直接相關著器件的工作效率。
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