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產(chǎn)品參數(shù)
Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(Ω) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
型號(hào) | 極性 | 封裝形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | ||||
FHP35N20W | N | TO-220 | 30 | 2~4 | 35 | 200 | 0.069 | 0.08 |
產(chǎn)品詳情
【產(chǎn)品類型】
N-channel Plane MOSFET
【產(chǎn)品描述】
針對(duì)功放系統(tǒng)的高效率、低失真度和EMI等特性表現(xiàn),F(xiàn)HP35N20W采用平面工藝VDMOS,擁有優(yōu)異的抗沖擊特性前提下優(yōu)化Rdson、Qg、trr等參數(shù),從而廣泛適配使用在Class-D功放電路上,如汽車功放、DSP功放上。
【產(chǎn)品特點(diǎn)】
100% EAS測(cè)試,100% DVDS測(cè)試,EAS雪崩能量高,一致性好,可靠性高,抗沖擊性能強(qiáng)。
【應(yīng)用舉例】
FHP35N20W使用在音頻放大電路中的半橋和全橋電路上。
熱門標(biāo)簽: 國產(chǎn)FHP230N06VFHP230N06V國產(chǎn)MOS管代換IPP030N10N3G代換IXFK94N50P2
FHP35N20W產(chǎn)品應(yīng)用文章
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