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電路設計新趨勢,純國產FHP60N1F10A中低壓SGTMOSFET的優勢參數分析

文章類別:MOS管資訊 發布時間:2025-03-13 瀏覽量:805 分享至:
技術的快速革新推動了電力電子變流器件在各個業界勢不可擋的應用,特出是在DC/DC電源轉換器和AC-DC開關電源等領域,對于中低壓SGTMOSFET這種能夠滿足精確控制和調節電流的器件的須要更加緊迫。在DC/DC電源轉換器電路中,決定一款領先的的純國產中低壓SGTMOSFET器件來國產替代IPP126N10N3G型號顯得十分緊要的。 如今時代中低壓SGTMOSFET市場中,性能不穩定的中低壓SGTMOSFET存有的弊端包含:散熱能力低、產品存安全隱患、效率不高等,觸及弊端不僅是嚴重影響了DC/DC電源轉換器設備的正常運行,況且產生了維護成本。在這種背景下,找一流品質的國產替代型號中低壓SGTMOSFET產品就顯得十分緊要的。 在DC/DC電源轉換器電子工程中,IPP126N10N3G型號中低壓SGTMOSFET的決定須要工程師重點注重其性能指標。好像,額定電流是否滿足60a、額定電壓是否達到了100V等,觸及指標密切聯系著器件的工作效率。 多數全國DC/DC電源轉換器生產工廠曾經將FHP60N1F10A扮演IPP126N10N3G的國產替代品,還可以取得大范圍推廣。建議每一人詳細清楚其性能參數: 1、具有60a電流、100V電壓 2、Vgs:±20V 3、N溝道場效應晶體管 4、靜態導通電阻RDS(ON):10.2mΩ(Typ)、12mΩ(Max) 5、極低的FOM(RDSON*Qg) 6、閾值電壓:2.0-4.0V 為提升加強DC/DC電源轉換器電路的轉換電流性能,飛虹半導體推舉采用型號為FHP60N1F10A的中低壓SGTMOSFET。這款60a、100V的中低壓SGTMOSFET能夠滿足實際解救產品散熱能力低、產品存安全隱患、效率不高等存在麻煩。 DC/DC電源轉換器等電子產品開發不再難,有飛虹半導體的FHP60N1F10A型號中低壓SGTMOSFET在提供鋰電池保護、升降壓型DC/DC轉換器等解決分階段方案。元器件供貨可靠,趕緊撥打400-831-6077試樣熱線體驗服務!

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