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掌握低內阻SGTMOSFET選型技巧:為何TO-252封裝的FHD60N1F10A能勝任DC-DC直流轉換器電路?

文章類別:MOS管資訊 發布時間:2024-07-22 瀏覽量:683 分享至:
科技的持續發展推動各個應用行業對大功率器件的須要呈上升趨勢,非常是DC-DC直流轉換器和AC-DC開關電源等領域,對于能夠控制和調節電流的低內阻SGTMOSFET須要更為殷切希望。在DC-DC直流轉換器電路中選定一款性能具有競爭力的純國產低內阻SGTMOSFET器件來替代STP80N10F型號顯得超重要。 今日低內阻SGTMOSFET市場常存的普遍難題囊括包括:產品存安全隱患、效率下降等。低內阻SGTMOSFET質量直接關系DC-DC直流轉換器的正常運行,產品供應穩定也直接關系市場領先地位。故而,探索高超的質量的替代型號低內阻SGTMOSFET產品就顯得超重要。 在DC-DC直流轉換器電子工程中,STP80N10F型號低內阻SGTMOSFET的選定須要設計師重點注意其性能指標。比如,額定電流能不能滿足60安、電壓能不能實現了100V等,這些指標直接關系著器件的工作效率。 60A、100V參數是DC-DC直流轉換器廠家的甘設計師探索純國產低內阻SGTMOSFET替代代理商的關注點,其若要探索質量甚好的低內阻SGTMOSFET代理商。 1、100%Rg測試 2、反向傳輸電容:10pF 3、Vgs:±20V 4、具有60安電流、100V電壓 5、N溝道增強型場效應晶體管 6、RDS(ON):10.2mΩ(Typ)、12mΩ(Max) 7、閾值電壓VGS(th):2.0-4.0V 若要增長DC-DC直流轉換器的控制能力,飛虹半導體解決甘先生需求,所以選定FHD60N1F10A型號SGTMOSFET。 若要增長DC-DC直流轉換器電路的控制性能,飛虹半導體非常愿意提議選定確實靠譜的FHD60N1F10A型低內阻SGTMOSFET,其60安、100V的參數有效克服了產品的產品存安全隱患、效率下降障礙難題。 選擇飛虹半導體的FHD60N1F10A型號低內阻SGTMOSFET,推動DC-DC直流轉換器生產工廠克服電路開發難題,確保穩定的元器件供應。咨詢熱線:400-831-6077,免費試樣等你拿!

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