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國產場效應管170N8F3A如何破解儲能電源設計三大痛點?飛虹半導體給出答案

文章類別:MOS管資訊 發布時間:2025-07-06 瀏覽量:303 分享至:
在儲能電源的藍色電路板海洋中,MOS管猶如控制能量流動的紅色閘門。然而許多工程師面臨這樣的困境:進口器件交期長達20周,而國產替代品又難以滿足高頻開關的嚴苛要求。廣州飛虹半導體研發的170N8F3A場效應管,正在改寫這一行業現狀。 Q1:儲能電源DC-DC升壓電路為何需要特殊MOS管? A:儲能電源的推挽結構中,MOS管需承受頻繁的開關動作。飛虹170N8F3A采用SGT工藝,將動態損耗關鍵指標FOM(RDSON*Qg)降至行業領先的11.8mΩ·nC,較傳統平面MOS降低40%。其124nC的總柵極電荷配合68ns的上升時間,特別適合50kHz以上的高頻應用場景。 Q2:如何解決散熱設計難題? A:TO-220封裝的FHP170N8F3A實測熱阻僅0.60℃/W,在持續120A電流時,結溫升幅比競品低15℃。這得益于飛虹獨創的銅Clip綁定技術,將傳統焊線方案的導熱路徑縮短60%。某儲能電源廠商實測數據顯示,在2kW全橋電路中,采用170N8F3A的溫升比原設計方案降低22℃。 Q3:國產器件可靠性是否經得起驗證? A:飛虹半導體實施三重嚴苛測試:100%雪崩測試驗證抗沖擊能力,100%熱阻測試確保散熱一致性,100% DVDS測試把關耐壓特性。170N8F3A的BVDSS典型值達96V,超出標稱85V的12.9%,為13-17串鋰電池保護提供充足余量。其反向恢復時間80ns的優異表現,有效抑制橋臂直通風險。 在廣東某儲能設備企業的對比測試中,170N8F3A成功替代IPP037N08N3G,整機效率提升0.8%,同時BOM成本下降12%。飛虹半導體廣州保稅區生產基地配備全自動測試線,月產能達300萬只,確保供貨穩定。 工程師在儲能電源設計時,不妨體驗這款通過RoHS認證的國產精品。百度搜索"飛虹半導體"或撥打免費試樣熱線:400-831-6077,獲取170N8F3A完整技術資料及樣品支持。

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