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低壓SGTMOSFET是BMS鋰電池保護(hù)板的關(guān)鍵因素，是能直接影響其可持續(xù)性。該以何種渠道選型低壓SGTMOSFET才具有適合BMS鋰電池保護(hù)板電路的產(chǎn)品呢？ 現(xiàn)階段低壓SGTMOSFET市場(chǎng)中，性能差的低壓SGTMOSFET存有的瑕疵包含有：散熱問(wèn)題、電磁影響等，前述瑕疵不僅僅是嚴(yán)重?cái)噥y了BMS鋰電池保護(hù)板設(shè)備的正常運(yùn)行，加之助長(zhǎng)了維護(hù)成本。從這個(gè)層面上，追尋高水平的代替型號(hào)低壓SGTMOSFET產(chǎn)品就顯得重要。 對(duì)于BMS鋰電池保護(hù)板電子工程師而言，在代替英飛凌IPP030N10N3G型號(hào)低壓SGTMOSFET時(shí)，須要當(dāng)心多個(gè)關(guān)鍵方面。首先是低壓SGTMOSFET的性能參數(shù)，如電流能否實(shí)現(xiàn)250安、額定電壓能否實(shí)現(xiàn)100伏等，前述參數(shù)與器件的工作效率關(guān)系密切的。 針對(duì)尋覓高性能價(jià)比BMS鋰電池保護(hù)板的電子工程師而言，F(xiàn)HS250N1F2A的低壓SGTMOSFET產(chǎn)品是您的最完美的選擇，它的技術(shù)規(guī)格與英飛凌IPP030N10N3G完全匹配，詳細(xì)可注重參數(shù)： 1、N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2、具有250安電流、100伏電壓 3、VGS（th）：2.0-4.0V 4、最高柵源電壓Vgs：±20V 5、靜態(tài)導(dǎo)通電阻：2.5mΩ（Typ）、3.0mΩ（Max） 6、100%經(jīng)過(guò)熱阻測(cè)試 企望升高BMS鋰電池保護(hù)板的功率開(kāi)關(guān)能力，飛虹半導(dǎo)體解決焦總需求，所以決定FHS250N1F2A型號(hào)SGTMOSFET。 為升高BMS鋰電池保護(hù)板電路的功率開(kāi)關(guān)性能，飛虹半導(dǎo)體非常愿意提議采用型號(hào)為FHS250N1F2A的低壓SGTMOSFET。這款250安、100伏的低壓SGTMOSFET能夠本質(zhì)應(yīng)對(duì)產(chǎn)品散熱問(wèn)題、電磁影響等疑問(wèn)問(wèn)題。 選擇飛虹半導(dǎo)體的FHS250N1F2A型號(hào)低壓SGTMOSFET，提供幫忙BMS鋰電池保護(hù)板廠家應(yīng)對(duì)電路開(kāi)發(fā)難題，確保穩(wěn)定的元器件供應(yīng)。咨詢(xún)熱線：400-831-6077，免費(fèi)試樣等你拿！